- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11539 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de diélectrique inter-grille également utilisée en tant que partie du transistor périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11539
Brevets de cette classe: 46
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
6 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
5 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
4 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
4 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
2 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
2 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
2 |
| Shanghai Huali Microelectronics Corporation | 160 |
2 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
2 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
2 |
| Marlin Semiconductor Limited | 460 |
2 |
| Intel Corporation | 45621 |
1 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
1 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
1 |
| Au Optronics Corporation | 3880 |
1 |
| NaMLab gGmbH | 23 |
1 |
| Nanya Technology Corporation | 2000 |
1 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
1 |
| STMicroelectronics (Crolles 2) SAS | 634 |
1 |
| Autres propriétaires | 2 |